愛(ài)普生常用尺寸3225mm的可編程振蕩器編碼X1G005591014500，隨著有源晶振在電子行業(yè)的地位步步高升，為電子產(chǎn)品發(fā)展貢獻(xiàn)出極大的力量，同時(shí)也讓人們感受到晶體對(duì)于當(dāng)下市場(chǎng)的需求量劇增，與此同時(shí)也將迎來(lái)了新的變革，那么，有源晶振對(duì)于電子產(chǎn)品是否真的是不可或缺的存在呢，通過(guò)自身的探索可得知，兩者之間是相輔相成，互相關(guān)聯(lián)的存在，而市場(chǎng)對(duì)于電子元器件的需求量也大大說(shuō)明了，很多產(chǎn)品之間的相關(guān)性，只有相互依存才能走得更加遠(yuǎn)，而有源晶振的小知識(shí)，也值得我們學(xué)習(xí)起來(lái)。

愛(ài)普生常用尺寸3225mm的可編程振蕩器編碼X1G005591014500
1.可以減少諧波，有源晶體輸出的是方波，這將引起諧波干擾，尤其是阻抗嚴(yán)重不匹配的情況下，加上電阻后，該電阻將與輸入電容構(gòu)成RC積分平滑電路，將方波轉(zhuǎn)換為近似正弦波，雖然信號(hào)的完整性受到一定影響，但由于該信號(hào)還要經(jīng)過(guò)后級(jí)放大、整形后才作為時(shí)鐘信號(hào)，因此，性能并不受影響，該電阻的大小需要根據(jù)輸入端的阻抗、輸入等效電容，石英晶體振蕩器，有源晶體的輸出阻抗等因素選擇。 
2.可以進(jìn)行阻抗匹配，減小回波干擾及導(dǎo)致的信號(hào)過(guò)沖。我們知道，只要阻抗不匹配，都會(huì)產(chǎn)生信號(hào)反射，即回波，有源晶體的輸出阻抗通常都很低，一般在幾百歐以下，而信號(hào)源的輸入端在芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)上通常是運(yùn)放的輸入端，由芯片的內(nèi)部電路與外部的無(wú)源石英晶體構(gòu)成諧振電路（使用有源晶體后就不需要這個(gè)晶體了），這個(gè)運(yùn)放的輸出阻抗都在兆歐以上。

愛(ài)普生晶振原廠編碼	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G005591011200	SG-8018CE	97.174000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591011300	SG-8018CE	15.625000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591011400	SG-8018CE	1.228800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591011500	SG-8018CE	45.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591011600	SG-8018CE	28.636360 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591011700	SG-8018CE	64.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591011800	SG-8018CE	81.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591011900	SG-8018CE	31.359600 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591012000	SG-8018CE	9.830400 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591012100	SG-8018CE	9.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591012200	SG-8018CE	2.097000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591012300	SG-8018CE	6.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591012400	SG-8018CE	11.059200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591012500	SG-8018CE	15.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591012600	SG-8018CE	148.351500 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 8.1 mA
X1G005591013000	SG-8018CE	2.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591013100	SG-8018CE	33.330000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591013200	SG-8018CE	3.428000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591013300	SG-8018CE	18.400000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591013800	SG-8018CE	19.968000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591014000	SG-8018CE	4.096000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591014100	SG-8018CE	66.666700 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591014200	SG-8018CE	9.984000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591014300	SG-8018CE	9.216000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591014400	SG-8018CE	6.144000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591014500	SG-8018CE	7.987500 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591014600	SG-8018CE	25.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591014700	SG-8018CE	9.984000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA

愛(ài)普生很高興宣布推出了SG-8018CE晶振，愛(ài)普生普通有源晶振編碼X1G005591014500，頻率25.000000兆赫，輸出WaveCMOS，供電電壓1.62至3.63 V，尺寸(長(zhǎng)×寬×高)3.20 × 2.50 × 1.20毫米，工作溫度-40到+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /，OSC TypeProgrammable Clock時(shí)鐘OSC，該振蕩器也將在以下流行的封裝尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列振蕩器的頻率容忍度約為66%比同類產(chǎn)品低50%的電流消耗，適用范圍廣環(huán)境條件.