SiT8103AI-13-18E-33.333333T 2520 XO MEMS振蕩器 SiTime黑色晶振
四腳黑色2520 33.333333M XO MEMS 雙輸出LVCMOS LVTTL 1.8V 50PP -40+85
MEMS振蕩器SiTime晶振
我們的MEMS振蕩器在我們位于德國的總部根據客戶要求進行單獨配置.它們不僅具有高頻穩定性,而且具有極高的抗沖擊和抗振動能力.對于開發人員來說,一個巨大的優勢是我們的進口晶振MEMS振蕩器可以立即使用.在24小時內,我們的專家可以配置和運送客戶特定的組件.這為開發人員提供了高度的靈活性,因為即使在開發過程的后期,仍然可以進行更改.高精度有源晶振,MEMS雙輸出晶振KDS晶振

振蕩器
在晶體振蕩器領域,Jauch系列包括標準石英晶振晶體振蕩器（XO）、壓控振蕩器（VCXO）和溫度補償振蕩器（TCXO）.我們的振蕩器提供不同的輸出,如HCMOS、削波正弦、PECL或LDVS.例如,它們用于通信基礎設施和網絡技術,例如以太網.我們的JOD振蕩器系列提供了一些特別的東西.JOD振蕩器具有LVDS輸出,用于以低干擾輻射傳輸高頻時鐘的場合.
為我們的客戶提供卓越的知識和全球分銷網絡智能手機晶振
“我們的實力和成功首先在于我們數十年的經驗和我們的技術知識.這使我們能夠為客戶的每種應用找到最佳解決方案.另一個優勢在于我們的全球子公司網絡和長期銷售合作伙伴.他們確保與我們的客戶密切合作,“SteffenFritz說.
高精度有源晶振,MEMS雙輸出晶振汽車電子晶振

SiTime編程晶振編碼料號	SiTime硅晶振參數	電壓	頻率PPM	工作溫度	腳位	尺寸	制造商	系列	輸出
SIT8103AI-23-33E-100.00000X	MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVCMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AC-23-18E-33.33333X	MEMS OSC XO 33.33333MHZ LVCMOS	1.8V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AC-21-28E-26.00000X	MEMS OSC XO 26.0000MHZ LVCMOS LV	2.8V	±20ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AC-23-33E-30.00000T	MEMS OSC XO 30.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-18E-33.33300X	MEMS OSC XO 33.3330MHZ LVCMOS LV	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-22-33E-4.00000X	MEMS OSC XO 4.0000MHZ LVCM LVTTL	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-33E-16.00000X	MEMS OSC XO 16.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-33E-25.00000X	MEMS OSC XO 25.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-33E-26.00000X	MEMS OSC XO 26.0000MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AI-23-18E-33.333000Y	MEMS OSC XO 33.3330MHZ LVCMOS LV	1.8V	±50ppm	-40°C ~ 85°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL
SIT8103AC-23-33E-46.08000X	MEMS OSC XO 46.0800MHZ LVCMO TTL	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，TTL
SIT8103AC-23-33E-33.33300X	MEMS OSC XO 33.3330MHZ LVCMOS LV	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C	4	3225	SiTime	SiT8103	LVCMOS，LVTTL